
IT之家 1 月 31 日音信,据外媒 Tom's shardware 报说念,长江存储当今已运行出货第五代 3D TLC NAND 闪存,共有 294 层,以及 232 个有源层。
外媒以为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0(IT之家注:Xtacking 4.0)架构,欺骗搀杂键合本领将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口联接起来,以最大完竣地晋升存储密度和 I/O 性能。
具体规格方面,长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存的位密度据称逾越了 20Gb / mm²,略低于铠侠和西部数据 BiCS8 QLC NAND 闪存的 22.9Gb / mm²。
外媒称,当今长江存储已告捷将其闪存密度晋升到行业调换的水平足球投注app,该公司现已成为寰宇 NAND 市集的有劲竞争者。
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